Загрузка...
скачать
Реферат на тему:

Таиров, Владимир Исмаил оглы



План:

2>
    Введение
  • 1 Биография
  • 2 Научная деятельность
    • 2.1 Некоторые научные работы
  • Источники

    Введение

    Владимир Исмаил оглы Таиров (азерб. Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov) — азербайджанский ученый, доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Бакинского государственного университета, член-корреспондент НАНА.e>

    1. Биография

    Владимир Таиров родился 5 апреля 1932 года в селе Уруд Сисианского района Армянской ССР. В 1949 году окончил среднюю школу. В 1951 году окончил двухлетний физико-математический факультет Агдамского педагогического института. В 1956 году окончил отделение физики физико-математического факультета Азербайджанского государственного факультета. В 1962 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование сегрегации, диффузии и растворимости таллия и тантала в монокристаллах германия». В 1972 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Исследование примесных состояний и донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах германий-кремний»


    2. Научная деятельность

    Владимир Таиров исследовал фундаментальные свойства большого числа полупроводников (Ge, Ge-Si, Te, GaSb, BiSb, Te-Se, соединения типа A3B5 и др.) Занимался разработкой новых полупроводниковых соединений, обладающих широким спектром интересных физических свойств. Им изобретен новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI, включающих в себя более 45 соединений. Владимир Таиров разработал новый метод получения однородных монокристаллов твердых растворов, обладающих сильной сегрегацией. Им также разработан новый метод получения монокристаллов перитектических соединений с летучими компонентами, новый метод определения глубины залегания примесей, новый экспрессный метод определения теплоемкости твердых тел.


    2.1. Некоторые научные работы

    • «Полупроводниковые твердые растворы Ge-Si», «Элм», Баку, 1983, 208 стр.
    • «Новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI», БГУ, Баку, 2001, 304 стр.
    • «Об определении глубины залегания примесных уровней в полупроводниках», ФТП, 4, № 11, стр. 2182—2184, 1970.
    • «О механизме образования дефектов в антимониде галлия при кристаллизации и взаимодействии с паровой фазой», «Электронная техника», серия 14, № 7, стр. 93-96, 1971.
    • «Инфракрасные спектры отражения слоистых монокристаллов Cu3Ju5S9», Phys. Stat. Solidi, 144, № 1, K73-K76, 1987.

    Источники

    • Владимир Исмаил оглы Тагиров
    скачать

    Данный реферат составлен на основе статьи из русской Википедии. Синхронизация выполнена 15.07.11 21:20:38

    Похожие рефераты: Али-Ага Исмаил-Ага оглы Шихлинский, Шихлинский Али-Ага Исмаил-Ага оглы, Ибрагимов Исмаил Али оглы, Халилов Захид Исмаил оглы, Нахичеванский Исмаил Хан Эхсан Хан оглы, Гаджиев Исмаил Мухтар оглы, Мамедов Ибрагим Исмаил оглы, Гаджибеков Солтан Исмаил оглы, Рустамов Муса Исмаил оглы.

    Категории: Персоналии по алфавиту, Учёные по алфавиту, Родившиеся в 1932 году, Родившиеся 5 апреля, Доктора физико-математических наук, Члены-корреспонденты НАН Азербайджана, Родившиеся в Сисиане, Физики Азербайджана.

    Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike.