Таиров, Владимир Исмаил оглы

План:

1 Биография
2 Научная деятельность
- 2.1 Некоторые научные работы

Источники

Введение

Владимир Исмаил оглы Таиров (азерб. Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov) — азербайджанский ученый, доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Бакинского государственного университета, член-корреспондент НАНА.e>

1. Биография

Владимир Таиров родился 5 апреля 1932 года в селе Уруд Сисианского района Армянской ССР. В 1949 году окончил среднюю школу. В 1951 году окончил двухлетний физико-математический факультет Агдамского педагогического института. В 1956 году окончил отделение физики физико-математического факультета Азербайджанского государственного факультета. В 1962 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование сегрегации, диффузии и растворимости таллия и тантала в монокристаллах германия». В 1972 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Исследование примесных состояний и донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах германий-кремний»

2. Научная деятельность

Владимир Таиров исследовал фундаментальные свойства большого числа полупроводников (Ge, Ge-Si, Te, GaSb, BiSb, Te-Se, соединения типа A3B5 и др.) Занимался разработкой новых полупроводниковых соединений, обладающих широким спектром интересных физических свойств. Им изобретен новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI, включающих в себя более 45 соединений. Владимир Таиров разработал новый метод получения однородных монокристаллов твердых растворов, обладающих сильной сегрегацией. Им также разработан новый метод получения монокристаллов перитектических соединений с летучими компонентами, новый метод определения глубины залегания примесей, новый экспрессный метод определения теплоемкости твердых тел.

2.1. Некоторые научные работы

«Полупроводниковые твердые растворы Ge-Si», «Элм», Баку, 1983, 208 стр.

«Новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI», БГУ, Баку, 2001, 304 стр.

«Об определении глубины залегания примесных уровней в полупроводниках», ФТП, 4, № 11, стр. 2182—2184, 1970.

«О механизме образования дефектов в антимониде галлия при кристаллизации и взаимодействии с паровой фазой», «Электронная техника», серия 14, № 7, стр. 93-96, 1971.